Günter-Köhler-Institut für Fügetechnik und Werkstoffprüfung GmbH – ifw


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Geförderte Projekte: 15


ABZ - Doppelseitiges Anodisches Bonden mit Zwischenelektroden


Prinzip doppelseitiges Anodisches Bonden
Prinzip doppelseitiges Anodisches Bonden

Projektidee

Ziel des bearbeiteten Projektes war es, ein Bondverfahren zu entwickeln, bei welchem mittels speziell präparierter Keramiksubstrate das gleichzeitige anodische Bonden von LTCC-Keramik beidseitig mit Silizium möglich ist. Wesentlich für die Realisierung dieses Bondprozesses war das Einbringen von zwei Zwischenelektroden in den LTCC-Sinterblock, jeweils direkt unterhalb der äußereren Glaskeramiklagen, die mit ihrer Oberseite die eigentliche Bondoberflächen bilden.

Kundennutzen

Durch die Einführung der Technologie des beidseitigen Anodischen Bondens von Siliziumwafern bzw. Si-Chips mit bondbares Glaskeramik ist es möglich, neueartige LTCC-Funktionseinheiten zu realisieren, die insbesondere auf dem Zusammenwirken von Sensoren mit mikrosensorischen beziehungsweise mikromechanischen Elementen beruhen. Das doppelseitige Bonden kann sowohl auf Waferbasis als auch mit vorseparierten Einzelchips unterschiedlicher Größe erfolgen.

Ausblick

Für die nächsten Jahren wird erwartet, daß immer mehr und strukturell kompliziertere LTCC-Bauelemente entstehen werden, bei denen funktionelle Si-Chips oder mikrotechnische Si-Funktionseinheiten integriert sind. Das doppelseitige anodische Bonden kann hierbei als wesentliche Fertigungstechnologie zur Systemintegration unterstützende Fertigungstechnologie eingesetzt werden.

Stand: 02.10.2012
Projektdaten aktualisiert: 02.12.2012

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